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集成块的定名法是什么?

  集成电途的定名 目前,集成电途的定名邦际上还没有一个联合的模范,各创制公司都有自身的一套定名格式,给咱们识别集成电途带来很大的 贫苦,但各创制公司对集成电途的定名总还存正在少少纪律。下面列出少少常睹的集成电途坐褥公司的定名格式供公共参考。 (只写了前缀〕 1.National Semiconductor Corp.(邦度半导体公司〕 AD:A/D手艺转换器; DA:D/A转换器; CD:CMOS数字电途; LF:线性场效应; LH:线性电途(同化〕;LM:线性电途〔单块〕; LP:线.RCA Corp. (美邦无线电公司) CA、LM:线性电途; CD:CMOS数字电途; CDM;CMOS大周围电途。 3.Motorola Semiconductor Products,Inc. (摩托罗拉半导体公司) MC:密封集成电途; MMS:存储器电途; MLM:引线于邦度半导体公司相像的线.NEC Electronics,Inc. (日本电气电子公司) uP: 微型产物。 A:组合元件; B:双极型数字电途; C:双极型模仿电途; D:单极型数字电途。 例:uPC、uPA等。 5.Sanyo Electric Co.,Ltd. (三洋电气有限公司) LA:双极型线性电途; LB:双极型数字电途; LC:CMOS电途; STK:厚膜电途。 6.Toshiba Corp. (东芝公司) TA:双极型线性电途; TC:CMOS电途; TD:双极型数字电途; TM:MOS电途。 7.Hitachi,Ltd. (日立公司) HA:模仿电途; HD:数字电途; HM:RAM电途; HN:ROM电途; 8.SGS Semiconductor Corp. (SGS半导体公司) TA、TB、TC、TD:线性电途; H:高电平逻辑电途; HB、HC:CMOS电途。 例:TD A 后A为温度代号。 部门集成电途创制公司名称及型号前缀 进步微器件公司 〔美邦〕 AM 模仿器件公司 〔美邦〕 AD 仙童半导体公司 〔美邦〕 F、uA 富士通公司 〔日本〕 MB、MBM 日立公司 〔日本〕 HA、HD、HM、HN 英特尔公司 〔美邦〕 I 英特西尔公司 〔美邦? ICL、ICM、IM 松下电子公司 〔日本? AN 史普拉格电气公司 〔美邦〕 ULN、UCN、TDA 三菱电气公司 〔日本〕 M 摩托罗拉半导体公司 〔美邦? MC、MLM、MMS 邦度半导体公司 〔美邦〕 LM、LF、LH、LP、AD、DA、CD 日本电气有限公司 〔日本〕 uPA、uPB、uPC 新日本无线电有限公司 〔日本〕 NJM 冲电气工业公司 〔日本〕 MSM 飞利浦元件公司 〔荷兰〕 HEF、TBA、TDA 三星半导体公司 〔韩邦〕 KA、KM、KS 山肯电气有限公司 〔日本〕 STR 三洋电气有限公司 〔日本〕 LA、LB、LC、STK SGS电子元件公司 〔意大利〕 TDA、H、HB、HC 夏普电子公司 〔日本〕 LH、LR、IX 西门子公司 〔德邦〕 SO、TBA、TDA 西格乃铁克斯公司 〔美邦〕 NE、SE、ULN 索尼公司 〔日本〕 BX、CX 东芝公司 〔日本〕 TA、TC、TD、TM 2 一、 中邦半导体器件型号定名格式 半导体器件型号由五部门(场效应器件、半导体特地器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号定名惟有第三、四、五部门)构成。五个部门意思如下: 第一部门:用数字流露半导体器件有用电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部门:用汉语拼音字母流露半导体器件的原料和极性。流露二极管时:A-N型锗原料、B-P型锗原料、C-N型硅原料、D-P型硅原料。流露三极管时:A-PNP型锗原料、B-NPN型锗原料、C-PNP型硅原料、D-NPN型硅原料。 第三部门:用汉语拼音字母流露半导体器件的内型。P-凡是管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-地道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开合管、X-低频小功率管(F3MHz,Pc1W)、G-高频小功率管(f3MHz,Pc1W)、D-低频大功率管(f3MHz,Pc1W)、A-高频大功率管(f3MHz,Pc1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃克复管、CS-场效应管、BT-半导体特地器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部门:用数字流露序号 第五部门:用汉语拼音字母流露规格号 比如:3DG18流露NPN型硅原料高频三极管 日本半导体分立器件型号定名格式 二、日本坐褥的半导体分立器件,由五至七部门构成。平淡只用到前五个部门,其各部门的符号意思如下: 第一部门:用数字流露器件有用电极数目或类型。0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有用电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。 第二部门:日本电子工业协会JEIA注册符号。S-流露已正在日本电子工业协会JEIA注册注册的半导体分立器件。 第三部门:用字母流露器件运用原料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P掌管极可控硅、G-N掌管极可控硅、H-N基极单结晶体管手艺晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。 第四部门:用数字流露正在日本电子工业协会JEIA注册的按次号。两位以上的整数-从“11”起首,流露正在日本电子工业协会JEIA注册的按次号;差别公司的机能相像的器件可能运用统一按次号;数字越大,越是近期产物。 第五部门: 用字母流露统一型号的改良型产物符号。A、B、C、D、E、F流露这一器件是原型号产物的改良产物。 美邦半导体分立器件型号定名格式 三、美邦晶体管或其他半导体器件的定名法较错杂。美邦电子工业协会半导体分立器件定名格式如下: 第一部门:用符号流露器件用处的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、(无)-非军用品。 第二部门:用数字流露pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。 第三部门:美邦电子工业协会(EIA)注册符号。N-该器件已正在美邦电子工业协会(EIA)注册注册。 第四部门:美邦电子工业协会注册按次号。众位数字-该器件正在美邦电子工业协会注册的按次号。 第五部门:用字母流露器件分档。A、B、C、D、┄┄-统一型号器件的差别档别。如:JAN2N3251A流露PNP硅高频小功率开合三极管,JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册符号、3251-EIA注册按次号、A-2N3251A档。 四、 邦际电子协同会半导体器件型号定名格式 德邦、法邦、意大利、荷兰、比利时等欧洲邦度以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧邦度,多半采用邦际电子协同会半导体分立器件型号定名格式。这种定名格式由四个根基部门构成,各部门的符号及意思如下: 第一部门:用字母流露器件运用的原料。A-器件运用原料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件运用原料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件运用原料的Eg1.3eV 如砷化镓、D-器件运用原料的Eg0.6eV 如锑化铟、E-器件运用复合原料及光电池运用的原料 第二部门:用字母流露器件的类型及合键特质。A-检波开合混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-地道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-盛开磁途中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-紧闭磁途中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开合管、T-大功率晶闸管、U-大功率开合管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。 第三部门:用数字或字母加数字流露登标帜。三位数字-代外通用半导体器件的注册序号、一个字母加二位数字-流露专用半导体器件的注册序号。 第四部门:用字母对统一类型号器件举办分档。A、B、C、D、E┄┄-流露统一型号的器件按某一参数举办分档的符号。 除四个根基部格外,有时还加后缀,以区别特质或进一步分类。常睹后缀如下: 1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部门是一个字母,流露安谧电压值的容许偏差限度,字母A、B、C、D、E阔别流露容许偏差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%;其后缀第二部门是数字,流露标称安谧电压的整数数值;后缀的第三部门是字母V,代外小数点,字母V之后的数字为稳压管标称安谧电压的小数值。 2、整流二极管后缀是数字,流露器件的最大反向峰值耐压值,单元是伏特。 3、晶闸管型号的后缀也是数字,平淡标出最大反向峰值耐压值和最大反向合断电压中数值较小的阿谁电压值。 如:BDX51-流露NPN硅低频大功率三极管,AF239S-流露PNP锗高频小功率三极管。 五、欧洲早期半导体分立器件型号定名法 欧洲有些邦度,如德邦、荷兰采用如下定名格式。 第一部门:O-流露半导体器件 第二部门:A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。 第三部门:众位数字-流露器件的注册序号。 第四部门:A、B、C┄┄-流露统一型号器件的变型产物。

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