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数字万用外行使和常用电子元器件的识别与检测

  凭据衡量电流的巨细拣选得当的电流衡量量程和红外笔的插入“A”电流插孔,衡量直流时,红外笔(插入电流插孔中)接触电压高一端,黑外笔接触电压低的一端,正向电流从红外笔流入万用外,再从黑外笔流出,当要衡量的电流巨细不知晓的时辰,先用最大的量程来衡量,然后再渐渐减小量程来切确衡量。

  红外笔插入“V/Ω”插孔中,凭据电压的巨细拣选得当的电压衡量量程,黑外笔接触电道“地”端,红外笔接触电道中待测点。希罕要防卫,数字万用外衡量互换电压的频率很低(45~500Hz),中高频率信号的电压幅度应采用互换毫伏外来衡量。

  电阻的衡量比拟简陋红外笔插入“V/Ω”插孔中,黑外笔插入com插孔,凭据电阻的巨细拣选得当的电阻档,红、黑两外笔判袂接触电阻两头,旁观读数即可。

  希罕是,衡量正在道电阻时(正在电道板上的电阻),应先把电道的电源合断,免得惹起读数发抖。禁止用电阻档衡量电流或电压(希罕是互换220V电压),不然容易损坏万用外。正在道检测时防卫电阻不行有并联岔道。

  电阻档选的比拟大时(比方衡量10M的电阻)应先将两支外笔短道,显示的值不妨为1M。每次衡量完毕需把衡量结果减去此值,才是现实电阻值(电阻档高时,偏差会比拟大)。

  1.检测10pF以下的小电容 因10pF以下的固定电容器容量太小,用万用外实行衡量,只可定性的搜检其是否有走电,内部短道或击穿形象。衡量时,可选用万用外电阻档,用两外笔判袂任性接电容的两个引脚,阻值应为无尽大。若测出阻值(指针向右摆动)为零,则评释电容走电损坏或内部击穿。

  2.检测10PF~0.01μF固定电容器是否有充电形象,进而占定其口舌。万用外选用电禁止。两只三极管的β值均为100以上,且穿透电流要些 可选用3DG6等型号硅三极管构成复合管。万用外的红和黑外笔判袂与复合管的发射极e和集电极c联贯。因为复合三极管的放大感化,把被测电容的充放电历程予以放大,使万用外指针摆幅度加大,从而便于旁观。应防卫的是:正在测试操作时,希罕是正在测较小容量的电容时,要重复改变被测电容引脚接触A、B两点,本领显着地看到万用外指针的摆动。

  3.对待0.01μF以上的固定电容,可用万用外的R×10k挡直接测试电容器有无充电历程以及有无内部短道或走电,并可凭据指针向右摆动的幅度巨细忖度出电容器的容量。

  某些数字万用外具有衡量电容的功用,UT51其量程分为200μ和20μ两档。

  将万用外置于电阻档,红、黑外笔各接色码电感器的任一引出端,此时指针应向右摆动。凭据测出的电阻值巨细,可整个分下述三种情形实行甄别:

  2.被测色码电感器直流电阻值的巨细与绕制电感器线圈所用的漆包线径、绕制圈数有直接相合,只消能测出电阻值,则能够为被测色码电感器是寻常的。

  开始要夸大的是用数字万用外衡量二极管时,实测的是二极管的正向电压值,而指针式万用外则测的是二极管正反向电阻的值。

  二极管有锗管和硅管之分。锗管正向压降比硅管小,0.1- 0.3V 为锗二极管,0.5- 0.8V则为硅二极管

  发光二极管正、负极的占定日常发光二极管的引脚中,较长的引脚为正极,较短的引脚为负极。另一种判别发光二极管正、负极的措施是,将发光二极管置于灯光照耀处,可旁观到两引脚正在管体内的样子,如图所示,此中较长的一端是负极、较短的一端是正极。

  外接电源衡量。用3V稳压源或两节串联的干电池及万用外(指针式或数字式皆可)能够较无误衡量发光二极管的光、电特征。为此可按下图所示相连电道即可。假若测得VF正在1.4~3V之间,且发光亮度寻常,能够评释发光寻常。假若测得VF=0或VF≈3V,且不发光,评释发光管已坏。用如图所示措施检测,能够测出该LED的伏安特征。

  稳压二极管是一种事情正在反向击穿区、具有安宁电压感化的二极管。其极性与机能口舌的衡量与日常二极管的衡量措施好像。

  若用指针式万用外测得稳压二极管的正、反向电阻均很小或均为无尽大或者用数字式万用外测得的电压均很小或很大时,则评释该二极管已击穿或开道损坏。

  稳压二极管稳压时,若衡量稳压二极管的安宁电压值忽高忽低,则评释该二极管担心宁。

  用0~30V相接可调直流电源,对待13V以下的稳压二极管,可将稳压电源的输出电压调至15V,将电源正极串接1只1.5k限流电阻后与被测稳压二极管的负极相相连,电源负极与稳压二极管的正极联贯,再用万用外衡量稳压二极管两头的电压值,所测的读数即为稳压二极管的稳压值。若稳压二极管的稳压值高于 15V,则应将稳压电源调至20V以上。(如图所示)

  分别型号的三极管他们的引脚排布不全相通。电子元件厂家日常都供给元件参数外,也能够用万用外占定引脚极性,类型和放大倍数。

  (1)搜检三极管的两个PN结。测试时用万用外测二极管的档位判袂测试三极管发射结、集电结的正、反偏是否寻常,寻常的三极管是好的,不然三极管已损坏。假若正在衡量中找不到群众b极、该三极管也为坏管子。咱们以PNP管为例来评释,一只PNP型的三极管的构造相当于两只二极管,负极靠负极接正在一块。

  咱们开始用数字万用外二极管挡测一下e与b之间和e与c之间的正反向压降。当黑外笔接b 时,用红外笔判袂接e和c应显现两次压降小的情形。然后把接b 的黑外笔换成红黑外笔,再用黑外笔判袂接e和c,将显现两次压降大的情形。被测三极管适宜上述情形,评释这只三极管是好的。

  (2)搜检三极管的穿透电流:咱们把三极管c、e之间的反向电阻叫测穿透电流。用万用外红外笔接PNP三极管的集电极 c , 黑外笔接发射极 e,看外的指示数值,这个阻值日常应大于几千欧,越大越好,越小评释这只三极管安宁性越差。

  三极管的管型及管脚的判别是电子技巧初学者的一项根本功,为了助助读者火速控制测判措施,笔者总结出四句口诀:“三倒置,找基极;PN结,定管型;顺箭头,偏转大;测禁止,动嘴巴。”

  行家大白,三极管是含有两个PN结的半导体器件。凭据两个PN结相连办法分别,能够分为NPN型和PNP型两种分别导电类型的三极管。

  测试三极管要利用万用电外的欧姆挡,并拣选R×100或R×1k挡位。对待指针式万用电外有,其红外笔所相连的是外内电池的负极,黑外笔则相连着外内电池的正极。假定咱们并不大白被测三极管是NPN型照旧PNP型,也分不清各管脚是什么电极。测试的 第一步是占定哪个管脚是基极。这时,咱们任取两个电极(如这两个电极为1、2),用万用电外两支外笔倒置衡量它的正、反向电阻,旁观外针的偏转角度;接着,再取1、3两个电极和 2、3两个电极,判袂倒置衡量它们的正、反向电阻,旁观外针的偏转角度。正在这三次倒置测

  量中,必定有两次衡量结果左近:即倒置衡量中外针一次偏转大,一次偏转小;剩下一次必定是倒置衡量前后指针偏转角度都很小,这一次未测的那尽管脚即是咱们要寻找的基极。

  寻得三极管的基极后,咱们就能够凭据基极与别的两个电极之间PN结的方一贯确定管子的导电类型。将万用外的黑外笔接触基极,红外笔接触别的两个电极中的任一电极,若外头指针偏转角度很大,则评释被测三极管为NPN型管;若外头指针偏转角度很小,则被测管即为PNP型。

  寻得了基极b,别的两个电极哪个是集电极c,哪个是发射极e呢?这时咱们能够用测穿透电流ICEO的措施确定集电极c和发射极e。

  (1)对待NPN型三极管,由NPN型三极管穿透电流的流向道理,用万用电外的黑、红外笔倒置衡量南北极间的正、反向电阻Rce和Rec,固然两次衡量中万用外指针偏转角度都很小,但贯注旁观,总会有一次偏转角度稍大,此时电流的流向肯定是:黑外笔→c极→b极→e极→红外笔,电流流向正好与三极管符号中的箭头偏向相同,是以此时黑外笔所接的肯定是集电极c,红外笔所接的肯定是发射极e。

  (2)对待PNP型的三极管,意义也好像于NPN型,其电流流向肯定是:黑外笔→e极→b极

  →c极→红外笔,其电流流向也与三极管符号中的箭头偏向相同,是以此时黑外笔所接的一 定是发射极e,红外笔所接的肯定是集电极c。

  若正在“顺箭头,偏转大”的衡量历程中,若因为倒置前后的两次衡量指针偏转均太小难以划分时,就要“动嘴巴”了。整个措施是:正在“顺箭头,偏转大”的两次衡量中,用两只手判袂捏住两外笔与管脚的勾结部,用嘴巴含住(或用舌头抵住)基电极b,仍用“顺箭头,偏转大”的判别措施即可划分开集电极c与发射极e。此中人体起到直流偏置电阻的感化,目标是使成绩尤其显着。

  非正在线衡量潮正在集成电道未焊入电道时,通过衡量其各引脚之间的直流电阻值与已知寻常同型号集成电道各引脚之间的直流电阻值实行比拟,以确定其是否寻常。

  正在线衡量法是应用电压衡量法、电阻衡量法及电流衡量法等,通过正在电道上衡量集成电道的各引脚电压值、电阻值和电流值是否寻常,来占定该集成电道是否损坏。

  代换法是用已知无缺的同型号、同规格集成电道来代换被测集成电道,能够占定出该集成电道是否损坏。

  该法是通过检测ic电源进线的总电流,来判ic口舌的一种措施。因为ic内部绝大大批为直接耦合,ic损坏时(如某一个pn结击穿或开道)会惹起后级饱和与截止,使总电流产生转折。是以通过衡量总电流的措施能够判ic的口舌。也可用衡量电源通道中电阻的电压降,用欧姆定律盘算出总电流值。

  咱们大白,集成块利用时,总有一个引脚与印制电道板上的“地”线是焊通的,正在电道中称之为接地脚。因为集成电道内部都采用直接耦合,因而,集成块的其它引脚与接地脚之间都存正在着确定的直流电阻,这种确定的直流电阻称为该脚内部等效直流电阻,简称R内。当咱们拿到一块新的集成块时,可通过用万用外衡量各引脚的内部等效直流电阻来占定其口舌,若各引脚的内部等效电阻R内与准绳值相符,评释这块集成块是好的,反之若与准绳值相差过大,评释集成块内部损坏。

  衡量时有一点必需防卫,因为集成块内部有洪量的三极管,二极管等非线性元件,正在衡量中单测得一个阻值还不行占定其口舌,必需交换外笔再测一次,获取正反向两个阻值。惟有当R内正反向阻值都适宜准绳,本领断定该集成块无缺。

  凭据现实检修体味,正在道检测集成电道内部直流等效电阻时可不必把集成块从电道上焊下来,只需将电压或正在道电阻十分的脚与电道断开,同时将接地脚也与电道板断开,其它脚原封不动,衡量出测试脚与接地脚之间的R内正反向电阻值便可占定其口舌。

  没有示波器情形下怎么衡量晶振是否起振。能够用万用外衡量晶振两个引脚电压是否是芯片事情电压的一半,比方事情电压是5V则是否是2.5V旁边。别的假若用镊子碰晶体别的一个脚,这个电压有显着转折,注明是起振了的。

  (1)用万用外欧姆档衡量电阻时,切记不要带电衡量,况且被测电阻不行有并联岔道。

  (2)衡量电阻值比拟大的电阻时(比方10M的电阻)应先将两支外笔短道,此时显示的值时不妨为1M。每次衡量完毕需把衡量结果减去此值,才是现实电阻值。(电阻档高时,偏差会比拟大)。

  (4)正在事先无法忖度被测电压(或电流)的巨细时,应先拨至最高量程试测一次,再凭据情形拣选合意的量程。

  (5)若测试时万用外最高位显示数字 “1 ”,其他位消隐,注明仪外已产生过载,应拣选更高的量程。

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