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功率二极管的主要类型

  众用于开合频率不高(1kHz以下)的整流电途中其反向复兴时候较长,通常正在5s以上,这正在开合频率不高时并不紧要正向电流定额和反向电压定额可能抵达很高,辞别可达数千安和数千伏以上

  从本能上可分为火速复兴和超火速复兴两个等第。前者反向复兴时候为数百纳秒或更长,后者则正在100ns以下,以至抵达20~30ns。

  分为PN结型布局和PIN布局两种。采用外延型PIN布局的的火速复兴外延二极管(Fast Recovery Epitaxial Diodes—FRED),其反向复兴时候比拟短(可低于50ns),正向压降也很低(0.9V支配),但其反向耐压众正在1200V以下。

  以金属和半导体接触变成的势垒为底子的二极管称为肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode——SBD),简称为肖特基二极管20世纪80年代以后,因为工艺的成长得以正在电力电子电途中广大利用

  反向复兴时候很短(10~40ns)正向复兴流程中也不会有显明的电压过冲正在反向耐压较低的境况下其正向压降也很小(通常0.5V支配),显明低于火速复兴二极管(通常1V支配)

  其开合损耗和正诱导通损耗都比火速二极管还要小,效力高 肖特基二极管的弱点

  当反向耐压普及时其正向压降也会高得不行满意恳求,所以众用于200V以下反向走电流较大且对温度敏锐,所以反向稳态损耗不行轻视,并且务必更苛峻地局限其管事温度.

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