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浅析肖特基二极管的本能和基础劳动道理

  G3商讯:肖特基二极管(SBD)是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称,是以其出现人肖特基博士(Schottky)定名的半导体器件。肖特基二极管是低功耗、大电流、超高速半导体器件,它不是欺骗P型半导体与N型半导体接触造成PN结道理修制的,而是欺骗金属与半导体接触造成的金属-半导体结道理修制的。于是,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或外貌势垒二极管,它是一种热载流子二极管。

  据G3归纳报道:肖特基二极管的反向克复工夫极短(能够小到几纳秒),正指导通压降仅0.4V支配,而整流电流却可抵达几千毫安。这些优越个性是疾克复二极管所无法相比的。中、小功率肖特基整流二极管大家采用封装步地。

  肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,欺骗二者接触面上造成的势垒具有整流个性而制成的金属-半导体器件。由于N型半导体中存正在着豪爽的电子,贵金属中仅有极少量的自正在电子,因而电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。明晰,金属A中没有空穴,也就不存正在空穴自A向B的扩散运动。跟着电子延续从B扩散到A,B外貌电子浓度慢慢低浸,外貌电中性被摧毁,于是就造成势垒,其电场倾向为B→A。但正在该电场功用之下,A中的电子也会爆发从A→B的漂移运动,从而消弱了因为扩散运动而造成的电场。当修设起必定宽度的空间电荷区后,电场惹起的电子漂移运动和浓度区别惹起的电子扩散运动抵达相对的均衡,便造成了肖特基势垒。

  规范的肖特基整流管的内部电道布局是以N型半导体为基片,正在上面造成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极利用钼或铝等原料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来湮灭边沿区域的电场,提升管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻,其掺杂浓度较H-层要高100%倍。正在基片下边造成N+阴极层,其功用是减小阴极的接触电阻。通过调治布局参数,N型基片和阳极金属之间便造成肖特基势垒。当正在肖特基势垒两头加上正向偏压(阳极金属接电源正极,N型基片接电源负极)时,肖特基势垒层变窄,其内阻变小;反之,若正在肖特基势垒两头加上反向偏压时,肖特基势垒层则变宽,其内阻变大。

  综上所述,肖特基整流管的根本布局道理与PN结整流管有很大的区别平时将PN结整流管称作结整流管,而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管,采用硅平面工艺创制的铝硅肖特基二极管也已问世,这不只可精打细算贵金属,大幅度低浸本钱,还改良了参数的相仿性。

  肖特基二极管的功用着重展现是正在双极型晶体管BJT的开闭电道内部,通过正在BJT上毗邻Shockley二极管来箝位,使得晶体管正在导通形态时本来处于很切近截止形态,从而提升晶体管的开闭速率。这种办法是74LS,74ALS,74AS等规范数字IC的TTL内部电道中利用的技能。

  肖特基(Schottky)二极管的最大特征是正向压降VF比拟小。正在同样电流的情状下,它的正向压降要小很众。此外它的克复工夫短。它也有极少差错:耐压比拟低,泄电流稍大些。选用时要周密探讨。深圳市银联宝电子科技有限公司是一家专业规划电子产物企业,代劳和出售品牌有:肖特基二极管(耐压相对较高、无泄电)、SANYOsifirstAsahikaseihi-semicin PFC SDC 等。规划种类有:电源执掌IC,马达驱动IC,砷化镓霍尔元件,锑化铟霍尔元件,双极型霍尔IC,光电器件,莫斯管等。

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