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若何测试可控硅整流器的优劣?

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  很简易,依照P-N结的道理,只须用万用外丈量一下三个极之间的电阻值就可能。阳极与阴极之间的正向和反向电阻正在几百千欧以上,阳极和独揽极之间的正向和反向电阻正在几百千欧以上(它们之间有两个P-N结,况且对象相反,所以阳极和独揽极正反向都欠亨)。

  独揽极与阴极之间是一个P-N结,所以它的正向电阻大约正在几欧-几百欧的鸿沟,反向电阻比正向电阻要大。但是独揽极二极管个性是不太理思的,反向不是完整呈阻断状况的,可能有比拟大的电贯通过,所以,有时测得独揽极反向电阻比拟小,并不行申明独揽极个性欠好。此外,正在丈量独揽极正反向电阻时,万用外应放正在R*10或R*1挡,防卫电压过高独揽极反向击穿。

  若测得元件阴阳极正反向已短道,或阳极与独揽极短道,或独揽极与阴极反向短道,或独揽极与阴极断道,申明该元件已损坏。

  可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种,都是三个电极。单向可控硅有阴极(K)、阳极(A)、独揽极(G)。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即此中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连,其引出端称T2极,此中一只单向硅阴极与另一只阳极相连,其引出端称T2极,剩下则为独揽极(G)。

  1、单、双向可控硅的判别:先任测两个极,若正、反测指针均不动(R×1挡),或许是A、K或G、A极(对单向可控硅)也或许是T2、T1或T2、G极(对双向可控硅)。若此中有一次丈量指示为几十至几百欧,则必为单向可控硅。且红笔所接为K极,黑笔接的为G极,剩下即为A极。若正、反向测指使均为几十至几百欧,则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测,此中必有一次阻值稍大,则稍大的一次红笔接的为G极,黑笔所接为T1极,余下是T2极。

  2、本能的分别:将旋钮拨至R×1挡,对待1~6A单向可控硅,红笔接K极,黑笔同时接通G、A极,正在仍旧黑笔不离开A极状况下断开G极,指针应指示几十欧至一百欧,此时可控硅已被触发,且触发电压低(或触发电流小)。然后瞬时断开A极再接通,指针应退回∞地点,则标明可控硅优秀。

  对待1~6A双向可控硅,红笔接T1极,黑笔同时接G、T2极,正在担保黑笔不离开T2极的条件下断开G极,指针应指示为几十至一百众欧(视可控硅电流巨细、厂家分别而异)。然后将两笔对换,反复上述程序测一次,指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧,则标明可控硅优秀,且触发电压(或电流)小。

  若仍旧接通A极或T2极时断开G极,指针马上退回∞地点,则申明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2措施进一步丈量,对待单向可控硅,闭合开闭K,灯应发亮,断开K灯仍不息灭,不然申明可控硅损坏。

  对待双向可控硅,闭合开闭K,灯应发亮,断开K,灯应不息灭。然后将电池反接,反复上述程序,均应是统一结果,才申明是好的。不然申明该器件已损坏。

  晶闸管管脚的判别可用下述措施: 先用万用外R*1K挡丈量三脚之间的阻值,阻值小的两脚折柳为独揽极和阴极,所剩的一脚为阳极。再将万用外置于R*10K挡,用手指捏住阳极和另一脚,且不让两脚接触,黑外笔接阳极,红外笔接剩下的一脚,如外针向右摆动,申明红外笔所接为阴极,不摆动则为独揽极。 三、单向可控硅的检测 万用外选电阻R*1Ω挡,用红、黑两外笔折柳测放肆两引脚间正反向电阻直至寻得读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑外笔的引脚为独揽极G,红外笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。此时将黑外笔接已决断了的阳极A,红外笔仍接阴极K。此时万用外指针应不动。用短线倏得短接阳极A和独揽极G,此时万用外电波折指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆驾驭。如阳极A接黑外笔,阴极K接红外笔时,万用外指针发作偏转,申明该单向可控硅已击穿损坏。

  用万用外电阻R*1Ω挡,用红、黑两外笔折柳测放肆两引脚间正反向电阻,结果此中两组读数为无限大。若一组为数十欧姆时,该组红、黑外所接的两引脚为第一阳极A1和独揽极G,另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后,再认真丈量A1、G极间正、反向电阻,读数相对较小的那次丈量的黑外笔所接的引脚为第一阳极A1,红外笔所接引脚为独揽极G。将黑外笔接已确定的第二阳极A2,红外笔接第一阳极A1,此时万用外指针不应发作偏转,阻值为无限大。再用短接线、G极倏得短接,给G极加上正向触发电压,A2、A1间阻值约10欧姆驾驭。随后断开A2、G间短接线欧姆驾驭。调换红、黑外笔接线。同样万用外指针应不发作偏转,阻值为无限大。用短接将A2、G极间再次倏得短接,给G极加上负的触发电压,A1、A2间的阻值也是10欧姆驾驭。随后断开A2、极间短接线,万用外读数应褂讪,仍旧正在10欧姆驾驭。合适以上次序,申明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性决断准确。

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